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IRF840AS 参数 Datasheet PDF下载

IRF840AS图片预览
型号: IRF840AS
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 2 页 / 157 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
 浏览型号IRF840AS的Datasheet PDF文件第2页  
IRF840AS/AL
功率MOSFET
V
DSS -
500V ,R
DS ( ON)
= 0.85欧姆,我
D
= 8.0 A
D
G
符号
S
N沟道
在电气及特征
TJ = 25℃最高。除非另有说明,否则
符号
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 500V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 400V
DC
, V
GS
= 0V
DC
TJ = 125℃
V
GS
= +30V
DC
V
GS
= -30V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
价值
500
典型值
最大
单位
伏特
µA
nA
nA
伏特
V
( BR ) DSS
V
GS
= 0 V
DC ,
I
D
= 250µA
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1018
155
8.0
11
26
23
19
-
25
250
100
-100
4.0
0.85
38
9.0
18
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS ( ON)
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 4.8A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压(二极管)
单脉冲雪崩能量
宋衍涛雪崩能量
雪崩电流
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
(上)
td
(关闭)
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 8.0A , TP = 300μS
V
DD
= 250V
DC
, I
D
= 8.0A ,R
G
= 9.1
R
D
= 31
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中,f = 1.0MHz的
I
D
= 8.0A
V
DS
= 400V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
mj
mj
A
-
-
-
-
-
-
-
8.0
32
2.0
510
13
8
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
(结到环境)
( TJ = 25℃除非另有说明)
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号(j -a)的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 30V
500
8.0
32
125
40
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围( TJ ) -55〜 + 150℃
最大存储温度范围( TSTG ) -55〜 + 150℃
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