IRFZ24NS/NL
功率MOSFET
V
DSS -
55V ，R
DS （ ON）
= 0.07毫欧，我
D
= 17 A
D
G
S
符号
N沟道
在电气及特征
TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则
符号
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 55V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 44V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
GS
= +20V
DC
V
GS
= -20V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
TJ = 150℃
价值
民
55
典型值
最大
单位
伏特
µA
nA
nA
伏特
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V
DC ，
I
D
= 250µA
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
370
140
65
4.9
19
34
27
-
25
250
100
-100
4.0
0.07
20
5.3
7.6
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS （ ON）
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 10A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压（二极管）
单脉冲雪崩能量
宋衍涛雪崩能量
雪崩电流
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
td
（关闭）
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 10A ， TP = 300μS
V
DD
= 28V
DC
, I
D
= 25A ，R
G
= 12
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中，f = 1.0MHz的
I
D
= 25A
V
DS
= 44V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
mj
mj
A
-
-
-
-
-
-
-
17
68
1.3
71
4.5
10
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
（结到环境）
（ TJ = 25℃除非另有说明）
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号（j -a）的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 20V
55
17
68
45
40
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围（ TJ ） -55至+175 ç
最大存储温度范围（ TSTG ） -55至+175 ç
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TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
