IRFZ44N
功率MOSFET
V
DSS -
55V ，R
DS （ ON）
= 17.5毫欧，我
D
= 49 A
漏
D
G
N沟道
门
漏
来源
TJ = 25℃最高。除非另有说明，否则
符号
在电气及特征
符号
S
参数
漏源击穿电压
漏极至源极漏电流
门源漏电流
栅极阈值电压
测试条件
V
DS
= 55V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
DS
= 44V
DC
, V
GS
= 0V
DC
V
GS
= +20V
DC
V
GS
= -20V
DC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
TJ = 150℃
价值
民
55
典型值
最大
单位
伏特
µA
nA
nA
伏特
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V
DC ，
I
D
= 250µA
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1470
360
88
12
44
60
45
-
25
250
100
-100
4.0
0.07
63
14
23
静态漏极至源极导通 - 阻抗R
DS （ ON）
V
GS
= 10V
DC
, I
D
= 10A
栅极电荷
门源费
栅漏电荷
输入电容
输出电容
传输电容
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
连续源电流
脉冲源电流
正向电压（二极管）
单脉冲雪崩能量
宋衍涛雪崩能量
雪崩电流
Q
G
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
td
（关闭）
tr
tf
I
S
I
SM
V
SD
E
AS
E
AR
I
AR
V
GS
= 0V
DC
, I
S
= 25A ， TP = 300μS
V
DD
= 28V
DC
, I
D
= 25A ，R
G
= 12
V
DS
= 25V
DC
, V
GS
= 0V
DC
中，f = 1.0MHz的
I
D
= 25A
V
DS
= 44V
DC
,
V
GS
= 10V
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
A
A
V
mj
mj
A
-
-
-
-
-
-
-
49
160
1.3
148
9.4
25
-
-
-
最大额定值
参数
栅极至源极电压
漏极至源极
电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率Dissapation
热阻
（结到环境）
（ TJ = 25℃除非另有说明）
符号条件
V
GS
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
R
号（j -a）的
(T
A
= 25 C)
价值
+/- 20V
55
49
160
94
62
单位
伏特
伏特
AMP
AMP
W
C / W
最大工作温度范围（ TJ ） -55至+175 ç
最大存储温度范围（ TSTG ） -55至+175 ç
机械尺寸
箱体TO -220 - AB胶
暗淡
a
b
c
d
e
f
g
h
j
k
m
n
p
尺寸
单位为毫米
英寸
民
最大
民
最大
10.29
2.62
6.10
3.54
14.84
13.47
1.15
1.15
3.550
4.20
1.22
2.64
0.48
0.69
10.54
2.87
6.47
3.78
15.24
14.09
1.400
2.54
4.06
4.69
1.32
2.92
0.55
0.93
0.405
0.103
0.240
0.139
0.584
0.530
0.045
0.045
0.140
0.165
0.048
0.104
0.018
0.027
0.415
0.113
0.255
0.149
0.600
0.555
0.055
0.100
0.160
0.185
0.052
0.115
0.022
0.037
d
c
b
a
m
n
4
e
k
h
f
r
j
j
p
q
1 2 3
g
1 - GATE
2 & 4 - 漏
3 - 来源
q
r
TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
