TRANSYS
电子
L I M I T E ð
NPN外延平面硅晶体管
MPSA 42
MPSA 43
TO-92
CBE
E
BC
高电压晶体管。
绝对最大额定值（Ta = 25deg C除非另有说明）
描述
符号
MPSA42
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流
功率耗散@ TA = 25摄氏度
减免上述25℃
功耗@ TC = 25摄氏度
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
300
300
MPSA43
200
200
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
6
500
625
5
1.5
12
-55到+150
RTH （J -C ）
Rth的第（j-一）
83.3
200
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
MPSA42
VCEO
IC=1mA,IB=0
>300
集电极发射极电压
VCBO
IC=100uA.IE=0
>300
集电极基极电压
VEBO
IE =为100uA ， IC = 0
>6.0
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 200V ， IE = 0
<100
集电极切断电流
VCB = 160V ， IE = 0
-
IEBO
VEB = 6V ， IC = 0
<100
射极切断电流
VEB = 4V ， IC = 0
-
的hFE *
IC=1mA,VCE=10V
>25
直流电流增益
IC=10mA,VCE=10V
>40
IC=30mA,VCE=10V
>40
<0.5
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） * IC = 20mA时， IB = 2毫安
VBE （星期六） * IC = 20mA时， IB = 2毫安
<0.9
基极发射极饱和电压
动态特性
电流增益带宽积
集电极电容基地
.
ft
建行
IC = 10毫安， VCE = 20V
f=100MHz
VCB = 20V ， IE = 0
f=1MHz
>50
<3.0
MPSA43
>200
>200
>6.0
-
<100
-
<100
>25
>40
>40
<0.4
<0.9
单位
V
V
V
nA
nA
nA
nA
V
V
>50
<4,0
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
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