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PN2222图片预览
型号: PN2222
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内容描述: NPN硅平面开关晶体管 [NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体开关晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 88 K
品牌: TRSYS [ TRANSYS Electronics Limited ]
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TRANSYS
电子
L I M I T E ð
NPN硅平面开关晶体管
PN2222
PN2222A
CBE
TO-92
E
BC
互补硅晶体管开关和线性的应用
直流放大器&驱动程序用于工业应用。
绝对最大额定值(Ta = 25deg C除非另有说明)
描述
符号
2222
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流
功率耗散@ TA = 25摄氏度
减免上述25deg ç
@ TC = 25摄氏度
减免上述25deg ç
工作和存储结
温度范围
热阻
结到外壳
结到环境
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
30
60
5.0
2222A
40
75
6.0
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
600
625
5
1.5
12
-55到+150
RTH (J -C )
Rth的第(j-一)
83.3
200
摄氏度/ W
摄氏度/ W
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号测试条件
2222
VCEO
IC=10mA,IB=0
>30
集电极发射极电压
VCBO
IC=10uA.IE=0
>60
集电极基极电压
VEBO
IE =为10uA , IC = 0
>5.0
发射极 - 基极电压
ICBO
VCB = 50V , IE = 0
<10
集电极切断电流
VCB = 60V , IE = 0
-
TA = 150℃
VCB = 50V , IE = 0
<10
VCB = 60V , IE = 0
-
ICEX
VCE = 60V , VBE = 3V
-
ICEO
VCE = 10V , IB = 0
<10
IEBO
VEB = 3V , IC = 0
-
射极切断电流
IBEX
VCE = 60V , VBE = 3V
-
基切断电流
<0.4
集电极 - 发射极饱和电压
VCE (星期六) * IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC=500mA,IB=50mA
<1.6
VBE (星期六) * IC = 150毫安, IB = 15毫安
<1.3
基极发射极饱和电压
IC=500mA,IB=50mA
<2.6
2222A
>40
>75
>6.0
-
<10
-
<10
<10
<10
<10
<20
<0.3
<1.0
0.6-1.2
<2.0
单位
V
V
V
nA
nA
uA
uA
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V