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BAS40 参数 Datasheet PDF下载

BAS40图片预览
型号: BAS40
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内容描述: 200mW的低VF ,SMD肖特基势垒二极管 [200mW, Low VF, SMD Schottky Barrier Diode]
分类和应用: 二极管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 86 K
品牌: TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]
 浏览型号BAS40的Datasheet PDF文件第2页  
BAS40 / -04 / -05 / -06
为200mW ,低V
F,
SMD肖特基势垒二极管
小信号二极管
A
F
特点
金属硅上Shcottky屏障
面器类型安装
湿度敏感度等级1
雾锡(Sn ),铅涂层与镍(Ni ),下板
无铅版本,并符合RoHS标准
绿色化合物(无卤素)与后缀"G"
包装上的日期代码代码和前缀"G"
B
E
C
D
G
机械数据
案例:扁平引脚SOT 23小外形塑料封装
终端:雾锡电镀,无铅,焊
每MIL -STD- 202方法208保证
高温焊接保证: 260 ℃/ 10秒
重量: 0.008克(约)
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
单位(mm )
2.80
1.20
0.30
1.80
2.25
0.90
最大
3.00
1.40
0.50
2.00
2.55
1.20
单位(英寸)
0.110
0.047
0.012
0.071
0.089
0.035
最大
0.118
0.055
0.020
0.079
0.100
0.043
0.550 REF
0.022 REF
BAS40
BAS40-04
BAS40-05
BAS40-06
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
反向重复峰值电压
反向电压
重复峰值正向电流
平均正向电流
非重复性峰值正向浪涌电流(注1 )
热阻(结到环境)
结温和存储温度范围
(注2 )
符号
P
D
V
RRM
V
R
I
FRM
I
O
I
FSM
RΘJA
T
J
, T
英镑
价值
200
40
40
200
200
0.6
357
-65至+ 125
单位
mW
V
V
mA
mA
A
° C / W
°C
电气特性
类型编号
反向击穿电压
正向电压
反向漏电流
I
R
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
V
R
=
10μA
1mA
10mA
40mA
30V
f=1.0MHz
I
R
C
J
TRR
V
F
符号
V
( BR )
40
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.38
0.50
1.00
0.2
5
5.0
μA
pF
ns
V
单位
V
V
R
=1V,
结电容
反向恢复时间我
F
=I
R
= 10毫安,R
L
=100Ω, I
RR
=1mA
注: 1 。测试条件: 8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
注:2 。有效的条件是电极被保持在环境温度
版本: C09