BAS70-04 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAS70-04
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内容描述：	200米瓦表面贴装肖特基二极管 [200m Watts Surface Mount Schottky Barrier Diode]
分类和应用：	肖特基二极管光电二极管IOT
文件页数/大小：	2 页 / 110 K
品牌：	TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]

BAS70 / -04 / -05 / -06

200米瓦表面贴装肖特基二极管

SOT-23

0.020(0.51)

0.015(0.37)

特点

低导通电压

快速开关

PN结保护环的瞬态和ESD

保护

0.080(2.05)

0.070(1.78)

0.024(0.61)

0.018(0.45)

0.120(3.05)

0.104(2.65)

0.055(1.40)

0.047(1.19)

0.098(2.50)

0.083(2.10)

0.041(1.05)

0.047(0.89)

机械数据

案例： SOT -23 ，模压塑料

终端：每MIIL - STD- 202焊接的，

方法208

标志着&极性：见下图

重量： 0.008克

0.043(1.10)

0.035(0.89)

0.006(0.15)

0.001(0.013)

0.024(0.61)

0.018(0.45)

0.007(0.178)

0.003(0.076)

尺寸以英寸（毫米）

BAS70标记： 73

BAS70-04标志： 74

BAS70-05标志： 75

BAS70-06标志： 76

最大额定值

类型编号

TA 〜

C除非另有说明

符号

RRM

RWM

R（ RMS ）

BAS70

100

200

625

-55〜 + 125

-65到+ 150

单位

K / W

反向重复峰值电压

工作峰值反向电压

阻断电压DC

RMS反向电压

正向连续电流（注1 ）

非重复峰值正向浪涌电流

@ t

≦1.0s

功率耗散（注1 ）

热阻结到环境空气

（注1 ）

工作结温范围

存储温度范围

FSM

θJA

英镑

符号

（ BR ）

TRR

民

电气特性

类型编号

反向击穿电压（注2 ）， IR = 10uA的

反向漏电流tp<300us ， VR = 50V

正向电压降

结电容

注意事项：

TP = 300US ， IF = 1.0毫安

tp<300us ， IF = 15毫安

VR = 0 ， F = 1.0MHz的

最大

100

410

1000

2.0

5.0

单位

反向恢复时间（注3 ）

1.有效的规定，终端被保持在环境温度下进行。

2.测试周期< 3000uS 。

3.反向恢复测试条件： IF = IR = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RL = 100Ω 。

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版本： C07

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