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BC858B 参数 Datasheet PDF下载

BC858B图片预览
型号: BC858B
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内容描述: 0.2瓦PNP塑封装晶体管 [0.2 Watts PNP Plastic-Encapsulate Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 84 K
品牌: TSC [ TAIWAN SEMICONDUCTOR COMPANY, LTD ]
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Pb
RoHS指令
合规
BC856A,B
BC857A,B,C
BC858A,B,C
0.2瓦PNP塑封装晶体管
SOT-23
特点
非常适合自动插入
外延平面片建设
对于开关,自动对焦驱动器和放大器
应用
可互补PNP型( BC846 )
符合AEC -Q101标准高
可靠性
机械数据
案例: SOT -23 ,模压塑料
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端:每MIIL - STD- 202焊接的,
方法208
无铅电镀
标志着&极性:见下图
重量: 0.008克(约
)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
类型编号
T
A
=25
o
C除非另有说明
符号BC856
V
CBO
V
首席执行官
I
CM
P
CM
V
EBO
I
CBO
BC857
-50
-45
-0.1
0.2
-5
-0.1
BC858
-30
-30
单位
V
V
A
W
V
uA
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=为10uA ,我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压余
C
= 10毫安,我
B
=0
集电极电流
o
功耗(环境温度Tamb = 25℃) (注1 )
I
E
=为10uA ,我
C
=0
V
CB
= -70V我
E
=0
V
CB
= -45V我
E
=0
V
CB
= -25V我
E
=0
集电极截止电流
V
CE
= -60V我
B
=0
V
CE
= -40V我
B
=0
V
CE
= -25V我
B
=0
发射极截止电流
V
EB
= -5V我
C
=0
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
基极 - 发射极饱和电压I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
跃迁频率V
CE
= -5V我
C
= -10mA F = 100MHz的
工作和存储温度范围
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
-80
-65
-0.1
-0.1
-0.1
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
-0.1
-0.1
-0.1
-0.5
-1.1
100
-55到+ 150
uA
uA
V
V
兆赫
o
C
类型编号
直流电流增益BC846A , 847A , 848A
BC846B , 847B , 848B V
CE
= -5V我
C
=-2mA
BC847C / BC848C
T
J
, T
英镑
符号
H
FE(1)
125
220
420
最大
250
475
800
单位
器件标识
BC856A = 3A , BC856B = 3B , BC857A = 3E , BC857B = 3F , BC857C = 3G , BC858A = 3J , BC858B = 3K , BC858C = 3L
注1 :晶体管安装在一FR4印刷电路板。
版本: B07