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    2SA1575 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1575图片预览
    型号： 2SA1575
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高英尺。高击穿电压。采用FBET过程。 [High fT. High breakdown voltage. Adoption of FBET process.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 107 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SA1575的Datasheet PDF文件第2页  
    Product specification
    2SA1575
    Features
    High f
    T..
    High breakdown voltage.
    Small reverse transfer capacitance and excellent.
    High-frequency characteristic.
    Adoption of FBET process.
    Absolute Maximum Ratings T
    A
    =25
    Parameter
    Collector-base voltage (Emitter open)
    Collector-emitter voltage (Base open)
    Emitter-base voltage (Collector open)
    Collector current
    Collector current (pulse)
    Collector power dissipation
    Junction temperature
    Storage temperature
    Symbol
    V
    CBO
    V
    CEO
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    1.3
    T
    j
    T
    stg
    150
    -55 to +150
    W
    Rating
    -200
    -200
    -4
    -100
    -200
    500
    Unit
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 of 2

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