2SC3326 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC3326
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内容描述：	高发射极 - 基极电压： VEBO = 25 V （分钟）。高直流电流增益： hFE参数= 200 1200 。 [High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min). High DC current gain: hFE = 200 1200.]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 95 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

Product specification

2SC3326

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Unit: mm

+0.1

2.4

-0.1

High emitter-base voltage: V

EBO

= 25 V (min).

High reverse hFE: Reverse h

= 150 (typ.) (V

= -2 V, I

= -4 mA).

Low on resistance: R

= 1

(typ.) (I

= 5 mA).

+0.1

1.3

-0.1

Features

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

Small package.

+0.1

0.38

-0.1

0.97

0-0.1

+0.1

-0.1

High DC current gain: h

= 200 1200.

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

300

150

125

-55 to +125

Unit

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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