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    2SC4521 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4521图片预览
    型号： 2SC4521
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 采用FBET ， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET, MBIT process. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 157 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SC4521的Datasheet PDF文件第2页  
    SMD Type
    Transistors
    IC
    Product specification
    2SC4521
    Features
    Adoption of FBET, MBIT process.
    Large current capacity.
    Low collector-to-emitter saturation voltage.
    Fast switching speed.
    Small-sized package.
    Absolute Maximum Ratings Ta = 25
    Parameter
    Collector-base voltage
    Collector-emitter voltage
    Emitter-base voltage
    Collector current
    Collector current (pulse)
    Collector dissipation,mounted on ceramic
    board(250mm
    2
    X0.8mm)
    Junction temperature
    Storage temperature
    Symbol
    V
    CBO
    V
    CEO
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    stg
    Rating
    60
    45
    5
    3
    6
    1.5
    150
    -55 to +150
    Unit
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 of 2

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