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    2SC4694 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4694图片预览
    型号： 2SC4694
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通过MBIT过程。高直流电流增益。高VEBO （ VEBO 25V ） 。 [Adoption of MBIT process. High DC current gain. High VEBO (VEBO 25V).]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 463 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SC4694的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4694的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC4694的Datasheet PDF文件第4页  
    SMD Type
    SMD Type
    Transistors
    IC
    Product specification
    2SC4694
    Features
    Adoption of MBIT process.
    High DC current gain.
    High V
    EBO
    (V
    EBO
    25V).
    High reverse hFE (150 typ).
    Small ON resistance [R
    on
    =1Ù (I
    B
    =5mA)].
    1 Emitter
    2 Base
    3 Collector
    Absolute Maximum Ratings Ta = 25
    Parameter
    Collector-base voltage
    Collector-emitter voltage
    Emitter-base voltage
    Collector current
    Collector current (pulse)
    Base current
    Collector dissipation
    Jumction temperature
    Storage temperature
    Symbol
    V
    CBO
    V
    CEO
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    stg
    Rating
    50
    20
    25
    500
    800
    100
    150
    150
    -55 to +150
    Unit
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 of 4

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