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型号: 1N60
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内容描述: 低正向压降。保护环结构的瞬态保护。 [Low forward voltage drop. Guard ring construction for transient protection.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 59 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
1N60
SOD-323
单位:mm
低正向压降。
保护环结构的瞬态保护。
可以忽略不计的反向恢复时间。
0.475
+0.1
2.6
-0.1
+0.05
0.3
-0.05
特点
+0.1
1.7
-0.1
+0.05
0.85
-0.05
1.0max
0.375
绝对最大额定值大= 25
参数
峰值重复峰值反向电压
工作峰值
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流
非重复性峰值正向浪涌柯伦@t
功耗
热阻结到环境
工作和存储温度范围
1.0s
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
FM
I
FRM
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
28
350
1.5
200
625
-65到+125
V
mA
A
mW
/W
40
V
等级
单位
电气特性TA = 25
参数
反向击穿电压
正向电压降
峰值反向电流
总电容
反向恢复时间
符号
V
( BR )R
V
FM
I
RM
C
T
t
rr
Testconditons
I
R
=10 A
I
F
= 20mA下
I
F
= 200毫安
V
R
= 30V
V
R
= 0V , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
=的200mA,我
rr
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
50
10
40
0.37
0.60
5
A
pF
ns
典型值
最大
单位
V
V
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
0.1
+0.05
-0.02
+0.1
1.3
-0.1
1 1