1SV262 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1SV262
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内容描述：	高电容比： C2V / C25V = 8 （典型值）的低串联电阻： RS = 0.6 （典型值） [High Capacitance Ratio:C2V/C25V = 8(Typ.) Low Series Resistance:rs = 0.6 (Typ.)]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 57 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

1SV262

SOD-323

+0.1

1.7

-0.1

单位：mm

+0.05

0.3

-0.05

+0.05

0.85

-0.05

特点

高电容比： C2V / C25V = 8 （典型值）

低串联电阻： RS = 0.6

（典型值）。

0.475

0.375

+0.1

2.6

-0.1

1.0max

优秀简历的特点，跟踪误差小。

绝对最大额定值大= 25

参数

反向电压

峰值反向电压

结温

存储温度范围

符号

英镑

价值

36(R

= 10 K

125

-55到+125

)

单位

电极特T A = 25

P ARAM ETER

ř EVERSE V oltage

ř EVERSE光凭目前ç

ç apacitance

S YM BOL

25V

Ç apacitance ř ATIO

S系列钢板ř esistance

Ñ OTE ：

一个vailable在米出动了组电容2.0 ％。

Ç （M AX 。） - C （M英寸）

C（ M在）。

=2~25V )

0.020

25V

28V

= 5V ， F = 470 M·H ž

ç ONDITIONS

= 1

米

2.6

1.03

0.6

0.8

35.5

2.85

12.5

3.0

典型值

米斧

ü尼特

= 32 V

F = 1 M·H ž ; V

= 2 V

F = 1 M·H ž ; V

= 25 V

记号

+0.05

0.1

-0.02

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

+0.1

1.3

-0.1

1 1

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