2N7000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7000
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内容描述：	高密度电池设计低RDS（ON ），电压控制的小信号开关 [High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch]
分类和应用：	晶体电池开关晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 100 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2N7000

SOT-23

单位：mm

■

特点

●

高密度电池设计低R

DS （ ON）

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

●

坚固可靠

●

高饱和电流能力

+0.1

1.3

-0.1

●

电压控制的小信号开关

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

1.Base

+0.1

-0.1

1.Gate

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

2.Emitter

2.Soruce

3.Drain

3.collector

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲注（ 1 ）

功耗

@ T

= 25℃

符号

, T

英镑

等级

±20

200

500

0.4

-55到+150

℃

单位

工作和存储结温范围

注意事项： 1，脉冲宽度有限的最高结温。

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

转发TRAN导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 15 V ，R

= 25 Ω

= 0.5 A ，V

根

= 10 V ，R

= 25Ω

=25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试Conditons

= 0 V，I

=10

μA

, I

=1mA

=0 V, V

=±20 V

=48 V, V

=0 V

= 125℃

=4.5 V, V

=10 V

= 10 V，I

± 500毫安

= 4.5 V，I

= 75毫安

= 10 V，I

± 200毫安

100

0.35

民

0.8

2.1

±100

1000

0.075

5.3

μA

典型值

最大

单位

■

记号

702

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1

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