2N7002K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002K
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内容描述：	低导通电阻： RDS （ ON ）低栅极阈值电压低输入电容 [Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance]
分类和应用：	晶体栅极晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	3 页 / 438 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

DIP型

SMD

TYPE

MOSFET

产品speci fi cation

2N7002K

SOT-23

单位：mm

特点

低导通电阻，R

DS （ ON）

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

漏

+0.1

1.3

-0.1

低栅极阈值电压

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

门

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

1门

2.Emitter

2 SOURCE

门

保护

二极管

来源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源电压

栅源电压

DrainCurrent

（注1 ）

-Continuous

-Pulsed

（注2 ）

PowerDissipation

（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

符号

DSS

GSS

等级

300

800

350

357

-65到+150

单位

, T

英镑

注：1.装置安装在FR- 4 PCB 。

2.脉冲宽度

£10mS,

占空比

£1%.

电气特性TA = 25

参数

漏源击穿电压

（注3）

零栅极电压漏极电流

（注3）

门体漏

（注3）

栅极阈值电压

（注3）

静态漏源导通电阻

（注3）

正向转移导纳

（注3）

输入电容

输出电容

反向传输电容

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

= 25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

Testconditons

= 0V时，我

= 10

民

1.0

1.6

2.5

2.0

3.0

5.0

典型值

最大

单位

= 60V, V

= 0V

20V, V

= 0V

= 10V ，我

= 1毫安

= 10V ，我

= 0.5A

= 5V ，我

= 0.05A

= 10V, V

= 0 .2 A

注意：用于最小化自加热效应3.短持续时间的测试脉冲。

记号

702.

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

0-0.1

3.collector

3漏

4008-318-123

1第3

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