2N7002W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002W
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内容描述：	低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容 [Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance]
分类和应用：	栅极
文件页数/大小：	1 页 / 182 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD

TYPE

晶体管

MOSFET

产品speci fi cation

2N7002W

■

特点

●

低导通电阻

●

低栅极阈值电压

●

低输入电容

●

开关速度快

●

低输入/输出泄漏

●

超小型表面贴装封装

SOT-323

1.3±0.1

0.65

单位：mm

2.3±0.15

0.525

0.3±0.1

2.1±0.1

0.1max

0.36

0.1

+0.05

-0.02

0.95±0.05

1.Base

1.门

2.Emitter

2.源

3.排水

3.collector

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲注（ 1 ）

功耗

@ T

= 25℃

符号

, T

英镑

等级

±20

115

800

0.2

-55到+150

℃

单位

工作和存储结温范围

注意事项： 1，脉冲宽度有限的最高结温。

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

漏源击穿电压

栅极阈值电压

门体漏

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

转发TRAN导

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

符号

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 30 V ，R

= 150 Ω

= 0.2 A，V

根

= 10 V ，R

= 25Ω

=25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

测试Conditons

= 0 V，I

=10μA

, I

=250μA

=0 V, V

=±20 V

=60 V, V

=0 V

= 125℃

=10 V, V

=7.5 V

= 10 V，I

= 500毫安@T

= 125℃

= 5 V，I

-50毫安

= 10 V，I

± 200毫安

7.0

0.5

13.5

7.5

民

1.76

±10

500

μA

典型值

最大

单位

■

记号

702

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1.25±0.1

4008-318-123

1 1

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