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2N7002 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002
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内容描述: 高密度电池设计低RDS(ON ),电压控制的小信号开关 [High density cell design for low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch]
分类和应用: 晶体电池开关晶体管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 130 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
DIP型
SMD
TYPE
TYPE
MOSFET
IC
产品speci fi cation
2N7002
SOT-23
单位:mm
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
特点
高密度电池设计低R
DS ( ON)
+0.1
2.4
-0.1
坚固可靠
高饱和电流能力
1
2
+0.1
1.3
-0.1
电压控制的小信号开关
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
漏电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
DS
I
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
60
115
225
150
-55到150
单位
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
转发TRAN导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
漏源电压
二极管的正向电压
符号
V
DSS
I
DSS
l
GSS
V
GS ( TH)
r
DS(0n)
I
D(上)
g
ts
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d(0n)
t
D(关闭)
V
DS ( ON)
V
SD
V
DD
= 25 V ,R
L
=50
I
D
= 500毫安, V
=10 V
R
G
=25
V
GS
= 10V ,我
D
=500mA
V
GS
= 5V ,我
D
=50mA
I
S
= 115毫安, V
GS
=0 V
0.5
0.05
0.55
V
DS
=25 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
Testconditons
V
GS
= 0 V,I
D
=10 µA
V
DS
=60 V, V
GS
=0 V
V
DS
=0 V, V
GS
= 25 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 µA
V
GS
= 10 V,I
D
± 500毫安
V
GS
= 5 V,I
D
-50毫安
V
GS
=10 V, V
DS
=7 V
V
DS
= 10 V,I
D
± 200毫安
1
1
1
500
80
500
50
25
5
20
ns
40
3.75
0.375
1.2
V
V
V
pF
60
80
80
2.5
7.5
7.5
mA
ms
典型值
最大
单位
V
nA
nA
V
记号
记号
702
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
0-0.1
4008-318-123
1 1