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型号: 2SA1015
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内容描述: 高电压和高电流VCEO : = - 50V (分钟) , IC = -150mA (最大值)低niose : NF = 1分贝(典型值),在f = 1KHz的 [High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 61 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1015
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高电压和高电流
V
首席执行官
:= - 50V ,I(分钟)
C
=-150mA(max.)
低niose : NF = 1分贝(典型值),在f = 1KHz的
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
-50
-50
-5
150
200
125
-55至125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
I
c
= -100
Testconditons
A,I
E
=0
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
-0.1
130
400
-0.3
-1.1
80
V
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
A
I
c
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100
A,I
C
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
CE
= -50V ,我
B
=0
V
EB
= - 5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
= -2mA
I
C
= -100毫安,我
B
= -10mA
I
C
= -100毫安,我
B
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA , F = 30MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
130
L
200
200
BA
H
400
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1