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2SA1255 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1255
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内容描述: 高电压。小package.Collector - 基极电压VCBO -200 V [High voltage. Small package.Collector-base voltage VCBO -200 V]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 87 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
DIP
TYPE
SMD型
SMD
TYPE
晶体管
IC
晶体管
晶体管
产品speci fi cation
2SA1255
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
特点
高电压。
小包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-200
-200
-5
-50
-20
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= -200 V,I
E
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
-200
-200
70
-0.2
-0.75
50
100
3
0.3
2
0.4
7
240
-1
-1.5
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
典型值
最大
-0.1
-0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
= -0.1毫安,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1毫安,我
B
= 0
h
FE
V
CE
= -3 V,I
C
= -10毫安
V
CE (SAT)
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
V
BE (SAT)
I
C
= -10毫安,我
B
= -1毫安
f
T
C
ob
TSTG
tf
V
CE
= -10 V,I
C
= -2毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
脉冲宽度= 5是,占空比2
I
B2
=-I
B1
-0.6毫安
V
CC
=-50V,I
C
=-6mA
h
FE
分类
记号
的hFE
OO
O
70 140
OY
Y
120 240
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
1 1