2SA1579 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1579
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内容描述：	高击穿voltage.Collector - 基极电压VCBO -120 V [High breakdown voltage.Collector-base voltage VCBO -120 V]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小：	1 页 / 79 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

晶体管

2SA1579

特点

高击穿电压。

1辐射源

2基地

3收藏家

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-120

-5

-50

0.2

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=-50ìA

=-1mA

=-50ìA

=-100V

=-4V

Testconditons

民

-120

-5

-0.5

180

140

3.2

560

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

= -10mA ，我

=-1mA

= -6V ，我

=-2mA

= -12V ，我

= 2毫安中，f = 100MHz的

= -12V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

分类

记号

秩

的hFE

180 390

270 560

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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