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型号: 2SA1580
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内容描述: 高英尺。小的反向传输电容。采用FBET过程。 [High fT. Small reverse transfer capacitance. Adoption of FBET process.]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 70 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1580
SOT-23
单位:mm
高F
T
.
+0.1
2.4
-0.1
小的反向传输电容。
采用FBET过程。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
cp
P
C
T
j
T
英镑
等级
-70
-60
-4
-50
-100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
基极 - 集电极时间常数
输出电容
反向传输电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
r
bb
,c
c
C
ob
C
re
Testconditons
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -3V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的
60
350
700
8
1.7
1.3
-0.6
-1
-70
-60
-4
典型值
最大
-0.1
-1
270
兆赫
ps
pF
pF
V
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -20mA ,我
B
= -2mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -20mA ,我
B
= -2mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
h
FE
分类
记号
的hFE
60
3
120
90
QL
4
180
135
5
270
0-0.1
1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1