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型号: 2SA1681
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内容描述: 低饱和电压: VCE (SAT) = -0.5V (最大值) ( IC = -1A )小型扁平封装 [Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V(max)(IC = -1A) Small Flat Package]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 464 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
产品speci fi cation
2SA1681
特点
低饱和电压: V
CE ( SAT )
= -0.5V (最大值) (我
C
= -1A)
高速开关时间:吨
英镑
=为300ns (典型值)。
小扁包
P
C
= 1.0〜 2.0W (安装在陶瓷基板)
补充2SC4409
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基板( 250毫米
2
×0.8 T)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-6
-2
-0.2
0.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
Testconditons
V
CB
= -60V ,我
E
= 0
V
EB
= -6V ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -1.5A
I
C
= 1A ,我
B
= -0.05A
I
C
= 1A ,我
B
= -0.05A
-50
100
23
0.1
见测试电路
0.3
0.1
ìs
120
40
-0.5
-1.2
V
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
-0.1
-0.1
400
单位
ìA
ìA
V
( BR ) CEO
I
C
= -10mA ,我
B
= 0
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
= -2V ,我
C
= -100mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3