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    2SA1766 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1766图片预览
    型号： 2SA1766
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 62 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SA1766
    特点
    采用FBET的， MBIT过程。
    高直流电流增益（H
    FE
    = 500〜 1200） 。
    大电流的能力。
    低集电极 - 发射极饱和电压。
    高V
    EBO
    .
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    基极电流
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -30
    -25
    -15
    -300
    -500
    -60
    1.3
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    公共基础输出电容
    集电极 - 发射极饱和电压
    基极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    符号
    Ic
    BO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    COB
    Testconditons
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = -10V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    500
    800
    100
    12
    -0.12
    -0.77
    -30
    -25
    -15
    -0.5
    -1.1
    民
    典型值
    最大
    -0.1
    -0.1
    1200
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    V
    V
    单位
    ìA
    ìA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -200mA ，我
    B
    =-4mA
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -200A ，我
    B
    =-4mA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = -10ìA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = -1mA ，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = -10ìA ，我
    C
    = 0
    记号
    记号
    AL
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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