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型号: 2SA1815
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内容描述: 高功率增益: PG = 25分贝典型值( F = 100MHz时)高功率增益: PG = 25分贝典型值( F = 100MHz时) [High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz) High power gain:PG=25dB typ(f=100MHz)]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 67 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SA1815
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高功率增益: PG = 25分贝典型值( F = 100MHz时)
高cutoffrequency : FT = 750MHz的典型值
低集电极 - 发射极饱和电压
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-15
-12
-3
-50
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
Ç -E饱和电压
功率增益
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
Ft
C
ob
COB
V
CE ( SAT )
P
G
Testconditons
V
CB
= -12V ,我
E
= 0
V
EB
= -2V ,我
C
= 0
V
CE
= -10V ,我
C
= -5mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -5mA
V
CB
=-10V,f=1MHz
V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
=-10mA,I
B
=-1mA
V
CE
=-10V,I
C
=-10mA,f=100MHz
60
750
1.2
0.9
-0.1
25
-0.3
1.6
典型值
最大
-0.1
-0.1
270
兆赫
pF
pF
V
dB
单位
ìA
ìA
h
FE
分类
记号
的hFE
3
60至120
JS
4
90至180
5
135〜 270
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1