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型号: 2SA1832
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内容描述: 高电压和高柯伦: VCEO = -50V , IC = -150mA (最大值)高的hFE :的hFE = 70〜 400 [High Voltage and High Curren :VCEO=-50V,IC=-150mA(Max.) High hFE: hFE=70 to 400]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 69 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SA1832
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
单位:mm
特点
高电压和高柯伦: V
首席执行官
=-50V,I
C
=-150mA(Max.)
优秀的hFE线性度:
的hFE (我
C
= -0.1mA / hFE参数(我
C
=-2mA)=0.95(Typ.)
高的hFE :的hFE = 70 〜400
2
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
+0.01
0.1
-0.01
1
+0.15
1.6
-0.15
0.55
+0.25
0.3
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
3
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-150
-30
100
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -5V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
V
CE
= -6V ,我
C
= -2mA
70
-0.1
4
80
典型值
最大
-0.1
-0.1
400
-0.3
7
V
pF
兆赫
单位
A
A
V
CE ( SAT )
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
C
ob
f
T
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
h
FE
分类
记号
的hFE
70
SQ
Q
140
120
SY
Y
240
SG
GR
200
400
+0.05
0.8
-0.05
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1