2SA1875 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1875
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内容描述：	高的fT ： FT = 400MHz的（典型值）。高击穿电压： 200V VCEO （分钟）。 [High fT : fT=400MHz(typ). High breakdown voltage : VCEO 200V(min).]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 109 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

2SA1875

TO-252

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

特点

高F

: f

=400MHz(typ).

高击穿电压： V

首席执行官

大电流电容。

采用FBET过程。

200V(min).

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

1.50

-0.15

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散

=25

结温

储存温度

英镑

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

-200

-3

-300

-600

-30

0.8

150

-55到150

单位

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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