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型号: 2SA1890
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内容描述: 低集电极 - 发射极饱和电压VCE ( sat)的高集电极 - 发射极电压(基本开) VCEO [Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) High collector-emitter voltage (Base open) VCEO]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 66 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
IC
产品speci fi cation
2SA1890
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
+0.1
1.50
-0.1
单位:mm
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
+0.1
0.48
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
特点
低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT)
高集电极 - 发射极电压(基本开) VCEO
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-50
-50
-5
-50
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE
Testconditons
I
C
= -10 IA ,我
E
= 0
I
C
= -1毫安,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CB
= -40 V,I
E
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= -100毫安
120
-0.2
-0.85
120
15
30
-80
-80
-5
-0.1
340
-0.3
-1.2
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
f
T
C
ob
V
CB
= -10 V,I
E
= 50 mA时, F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
R
120 240
1Z
S
170 340
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1