2SA1900 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1900
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内容描述：	低饱和电压，通常为VCE （SAT） = 0.15V时IC / IB = 500毫安/ 50毫安 [Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.15V at IC /IB = 500mA / 50mA]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 83 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

产品speci fi cation

2SA1900

特点

低饱和电压，通常V

CE （ SAT ）

= ？在0.15V IC /

= ？ 500毫安/ ？ 50毫安

= 2W （上40X40X0.7mm陶瓷板）

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

首席执行官

CBO

EBO

等级

-60

-50

-5

-1

-2

集电极耗散功率

Jumction温度

储存温度

* 1单脉冲Pw = 20毫秒，占空比= 1 /

* 2当安装在40X40X0.7mm seramic板。

英镑

0.5

150

-55到+150

单位

A（脉冲） * 1

W *2

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿voltae

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

跃迁频率

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

= -50µA

= -1mA

= -50µA

= -40V

= -4V

Testconditons

民

-60

-50

-5

-0.1

-0.4

120

150

270

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

= -500mA / -50mA

= -3V / -0.5A

= -5V ，我

= 50mA时F = 100MHz的

= -10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

记号

ALQ

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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