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    2SA1944 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1944图片预览
    型号： 2SA1944
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高电压VCEO = -50V低集电极到发射极饱和电压 [High voltage VCEO=-50V Low collector to emitter saturation voltage]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 84 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    IC
    产品speci fi cation
    2SA1944
    特点
    高电压V
    首席执行官
    =-50V
    低集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    = -0.2V （典型值） （ @I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-10mA)
    高ħ
    FE
    : h
    FE
    = 400〜800
    小型封装安装
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散（ TA = 25 ）
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    CM
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -50
    -6
    -50
    -2
    -1
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    Colllector - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    Testconditons
    民
    -50
    -6
    -50
    -0.1
    -0.1
    400
    -0.2
    90
    30
    800
    -0.5
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =-10ìA,I
    E
    =0
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =-10ìA,I
    C
    =0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    =-1mA,R
    BE
    =
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CB
    =-40V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =-2V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =-6V,I
    C
    =-100mA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-10mA
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    =-10V,I
    E
    =-10mA
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    记号
    记号
    XG
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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