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    2SA1948 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1948图片预览
    型号： 2SA1948
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高fT的FT = 200MHz的典型值，低的玉米棒玉米棒=典型的3.5pF小型封装安装 [High fT fT=200MHz typ, low Cob Cob=3.5pF typ Small package for mounting]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 85 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    IC
    产品speci fi cation
    2SA1948
    特点
    高F
    T
    f
    T
    = 200MHz的典型值，低C
    ob
    C
    ob
    =典型的3.5pF
    小型封装安装
    高电压V
    首席执行官
    =120V
    高集电极耗散PC = 500mW的
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -120
    -120
    -5
    -100
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    Testconditons
    民
    -120
    -120
    -5
    -0.1
    -0.1
    150
    -0.17
    200
    3.5
    800
    -0.6
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = -10 IA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = -1毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = -10 IA ，我
    C
    = 0
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    V
    CB
    = -100 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = -4 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = -10 V，I
    C
    = -10毫安
    I
    C
    = -50毫安，我
    B
    = -2.5毫安
    V
    CE
    = -10 V，I
    E
    = 10毫安
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    ACE
    E
    150 300
    250
    ACF
    F
    500
    400
    ACG
    G
    800
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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