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2SA1981SF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SA1981SF
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内容描述: 高HFE : .hFE = 100〜 320集电极 - 基极电压VCBO -35 V [High Hfe:.hFE=100 to 320 Collector-base voltage VCBO -35 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 75 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1981SF
SOT-23
单位:mm
特点
3
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
高HFE : .H
FE
= 100〜 320
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-35
-30
-5
-800
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
IC
=-500ìA
Testconditons
, I
E
=0
-35
-30
-5
0-0.1
典型值
最大
单位
V
V
V
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -50μA ,我
C
=0
V
CB
= -35V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
-0.1
-0.1
100
320
-0.5
120
19
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=-500mA/-20mA
f
T
C
ob
V
CE
= -5V ,我
E
=10mA,
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
兆赫
pF
h
FE
分类
记号
的hFE
O
100 200
EA
Y
160 320
1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1