2SB1000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1000
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内容描述：	低频放大器。集电极基极电压VCBO -25 V [Low frequency amplifier. Collector to base voltage VCBO -25 V]
分类和应用：	放大器
文件页数/大小：	1 页 / 75 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SB1000

特点

低频放大器。

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

* PW

10毫秒; ð

0.02.

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-25

-20

-5

-1

-1.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比*

集电极到发射极饱和电压*

基地发射极饱和电压*

增益带宽积

集电极输出电容

符号

Testconditons

民

-25

-20

-5

-0.1

-0.2

-0.94

200

240

-0.3

-1.1

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

（ BR ） CBO

= -10 IA ，我

= 0

（ BR ） CEO

= -1毫安，R

（ BR ） EBO

= -10 IA ，我

= 0

CBO

EBO

= -20 V，I

= 0

= -4 V，I

= 0

= -2 V，I

= -0.5 A

CE （ SAT ）

= -0.8 A，I

= -0.08 A

BE （ SAT ）

= -0.8 A，I

= -0.08 A

= -2 V，I

= -0.15 A

= -10 V，I

= 0，F = 1MHz的

分类

记号

的hFE

85 170

120 240

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1

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