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    2SB1119 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1119图片预览
    型号： 2SB1119
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常小的尺寸使其易于提供高密度，小型混合动力ICS [Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 76 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SB1119
    特点
    非常小的尺寸使其易于提供高密度，
    小尺寸的混合IC '
    s.
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -25
    -25
    -5
    -1
    -2
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    输出电容
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    Testconditons
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    CB
    = -4V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -50mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -1A
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -50mA
    100
    40
    180
    -0.15
    -0.85
    -25
    -25
    -5
    52
    -0.7
    -1.2
    兆赫
    V
    V
    V
    V
    V
    pF
    民
    典型值
    最大
    -0.1
    -0.1
    560
    单位
    ìA
    ìA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = -10ìA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = -1mA ，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = -10ìA ，我
    C
    = 0
    C
    ob
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    R
    100 200
    S
    140 280
    BB
    T
    200 400
    U
    280 560
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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