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2SB1169A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1169A
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内容描述: 高正向电流传输比的hFE有良好的线性度。 [High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SB1169A
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度。
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT) 。
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-80
-80
-5
-1
-2
1.3
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
基地发射极电压
集电极 - 发射极截止CURENT
集电极 - 发射极截止CURENT
发射基截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V
首席执行官
V
BE
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
C
= -30毫安,我
B
= 0
V
CE
= -4 V,I
C
= -1 A
V
CE
= -80 V,V
BE
= 0
V
CE
= -60 V,I
B
= 0
V
EB
= -5 V,I
C
= 0
V
CE
= -4 V,I
C
= -0.2 A
V
CE
= -4 V,I
C
= -1 A
V
CE ( SAT )
I
C
= -1时,我
B
= -0.125 A
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= -1时,我
B1
= -50毫安,我
B2
= 50毫安,
V
CC
= -50 V
V
CE
= -10 V,I
C
= -0.5 A, F = 10 MHz的
40
0.5
1.2
0.3
40
15
-1
V
兆赫
ìs
ìs
ìs
-80
-1.3
-200
-300
-1
450
典型值
最大
单位
V
V
ìA
ìA
mA
V
h
FE
分类
h
FE
40
R
90
Q
70 150
P
120 250
O
200 450
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1