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型号: 2SB1189
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内容描述: 高击穿电压BVCEO = -80V ,大电流, IC = -0.7A 。 [High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and high current, IC=-0.7A.]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 76 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1189
特点
高的击穿电压, BVCEO = -80V ,和
大电流, IC = -0.7A 。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-80
-80
-5
-0.7
0.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿voltae
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
= -50 A
I
C
= -2mA
I
E
= -50 A
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
-0.2
82
100
14
20
Testconditons
-80
-80
-5
-0.5
-0.5
-0.4
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= -3V ,我
C
= -0.1A
V
CE
= -10V ,我
E
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
P
82 180
BD
Q
120 270
R
180 390
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1