2SB1198K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1198K
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内容描述：	低VCE （ sat）的.VCE （星期六） = - 0.2V VCE （SAT） = - 0.2V高电压berakdown 。 BVCEO = -80V [Low VCE(sat).VCE(sat)=-0.2V VCE(sat)=-0.2V High berakdown voltage. BVCEO=-80V]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 235 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SB1198K

SOT-23

单位：mm

■

特点

●

低V

CE （ SAT ）

=-0.2V

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

●

高berakdown电压。

BVC EO = -80V

+0.1

1.3

-0.1

CE （ SAT ）

=-0.2V

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

s TG

等级

-80

-5

-0.5

0.2

150

-55到150

℃

单位

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

Collecto-基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

集电极输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

Testconditons

IC = -50 μA

，

IC = -2毫安

，

= -50

，

= -50 V，I

= -4V ，我

= -3V ，我

= -100mA

120

-0.2

180

民

-80

-5

-0.5

390

-0.5

典型值

0-0.1

最大

单位

CE （ SAT ）

= -0.5A ，我

=-50mA

COB

= -10V ，我

= 0毫安， F = 1MHz的

= -10V ，我

= 50mA时F = 100MHz的

兆赫

■

分类h及

fe(1)

秩

的hFE

120-270

180-390

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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