欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SB1220 参数 Datasheet PDF下载

2SB1220图片预览
型号: 2SB1220
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高集电极 - 发射极电压VCEO低噪声电压NV [High collector-emitter voltage VCEO Low noise voltage NV]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 71 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1220
特点
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
低噪声电压NV
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-150
-150
-5
-100
-50
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
Noixe电压
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE
Testconditons
I
C
= -100 IA ,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CB
= -100 V,I
E
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= -10毫安
130
-150
-5
-1
450
-1
200
4
150
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
单位
V
V
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -30毫安,我
B
= -3毫安
f
T
C
ob
NV
V
CB
= -10 V,I
E
= 10 mA时, F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= -10 V,I
C
= -1毫安,G
V
= 80分贝,
R
g
= 100KÙ
,
功能= FLAT
h
FE
分类
记号
h
FE
R
130 220
I
S
185 330
T
260 450
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1