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    2SB1260 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1260图片预览
    型号： 2SB1260
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高击穿电压，高current.BVCEO = -80V ， IC = -1A PNP硅晶体管 [High breakdown voltage and high current.BVCEO= -80V, IC=-1A PNP silicon transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 76 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SB1260
    特点
    高击穿电压和高
    current.BV
    首席执行官
    = -80V ，我
    C
    =-1A
    良好的hFE线性度。
    低V
    CE （ SAT ）
    .
    外延平面型
    PNP硅晶体管
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    *单脉冲， PW = 100毫秒
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    *
    P
    C
    Tj
    T
    英镑
    等级
    -80
    -80
    -5
    -1
    -2
    0.5
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    直流电流传输比
    跃迁频率
    输出电容
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    I
    C
    =-50ìA
    I
    C
    =-1mA
    I
    E
    =-50ìA
    V
    CB
    =-60V
    V
    EB
    =-4V
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    =-0.1A
    82
    Testconditons
    民
    -80
    -80
    -5
    -1
    -1
    390
    -0.4
    100
    25
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-50mA
    C
    ob
    f
    T
    V
    CE
    = -5V ，我
    E
    = 50mA时F = 30MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0A ， F = 1MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    P
    82 180
    BE
    Q
    120 270
    R
    180 390
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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