欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SB1266 参数 Datasheet PDF下载

2SB1266图片预览
型号: 2SB1266
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 适于套,其heighit被限制。高可靠性。 [Suitable for sets whose heighit is restricted. High reliability.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1266
TO-252
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
适于套,其heighit被限制。
高可靠性。
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
T
C
= 25
Jumction温度
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
-60
-60
-6
-3
-8
1.65
30
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= -40V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
C
= 0
V
CE
= -5V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -5V ,我
C
= -3A
V
CE
= -5V ,我
C
= -0.5A
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
70
20
8
60
-0.4
-0.7
-60
-60
-6
-1
-1
兆赫
pF
V
V
V
V
V
典型值
最大
-100
-100
280
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
BE
I
CE
= -5V ,我
C
= -0.5A
V
( BR ) CBO
I
C
= -1mA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -5mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -1mA ,我
C
= 0
h
FE
分类
的hFE
Q
70 140
R
100 200
S
140 280
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1