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型号: 2SB1275
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内容描述: 高击穿电压( BVCEO = -160V )低集电极输出电容。 [High breakdown voltage.(BVCEO = -160V) Low collector output capacitance.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 62 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1275
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高击穿电压。 (乙
VCEO
= -160V)
+0.2
9.70
-0.2
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
典型值。 30pF的在V
CB
= 10V
高转换频率(F
T
= 50MHz的)
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
-160
-160
-5
-1.5
-3
集电极耗散功率
结温
储存温度
P
C
T
j
T
英镑
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲)
W( =锝25 )
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
B
VCBO
B
VCEO
B
VEBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
I
C
= -50ìA
I
C
= -1mA
I
E
= -50ìA
V
CB
= -120V
V
EB
= -4V
I
C
/I
B
= -1A/-0.1A
V
CE
= -5V ,我
C
= -0.1A
V
CE
= -5V ,我
E
= 0.1A , F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
82
50
30
Testconditons
-160
-160
-5
-1
-1
-2
180
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
h
FE
分类
TYPE
的hFE
P
82至180
3
.8
0
低集电极输出电容。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1