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2SB1295 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1295
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内容描述: 非常小尺寸的封装,允许台的小型化和slimer 。 [Very small-sized package permitting sets to be made smaller and slimer.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 61 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1295
SOT-23
单位:mm
特点
大电流的能力。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
体积更小, slimer 。
0.55
非常小的尺寸,以进行封装,允许套
+0.1
1.3
-0.1
低集电极到发射极饱和电压。
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-15
-15
-5
-0.8
-3
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= -12V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -50mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -50mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
135
300
15
-10
-100
-0.9
-15
-15
-5
-25
-200
-1.2
典型值
最大
-100
-100
600
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= -5mA ,我
B
= -0.5mA
V
CE ( SAT )
I
C
= -400mA ,我
B
= -20mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -400mA ,我
B
=-20mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
h
FE
分类
记号
的hFE
135
5
270
200
UL
6
400
300
7
600
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1