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型号: 2SB1308
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内容描述: 低饱和电压,通常为VCE (SAT) = -0.45V (最大)的IC / IB = -1.5A / -0.15A 。 [Low saturation voltage, typically VCE(sat) = -0.45V (Max.) at IC/IB = -1.5A / -0.15A.]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 76 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1308
特点
低饱和电压,通常为
V
CE ( SAT )
= -0.45V (最大) ,在我
C
/I
B
= -1.5A / -0.15A.
优良的直流电流增益特性。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单脉冲, PW = 10毫秒
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
*
P
C
Tj
T
英镑
等级
-30
-20
-6
-3
-5
0.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=-50ìA
I
C
=-1mA
I
E
=-50ìA
V
CB
=-20V
V
EB
=-5V
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
82
Testconditons
-30
-20
-6
-0.5
-0.5
390
-0.45
120
60
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
=-1.5A,I
B
=-0.15A
C
ob
f
T
V
CE
= -6V ,我
E
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= -20V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
P
82 180
BF
Q
120 270
R
180 390
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1