2SB1386 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1386
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内容描述：	低VCE （SAT）。 VCE （SAT） = -0.35V （典型值）出色的直流电流增益 [Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.35V (Typ.) Excellent DC current gain]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 76 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SB1386

特点

低VCE （SAT）。

CE （ SAT ）

= -0.35V （典型值）。

= -4A / -0.1A)

出色的直流电流增益

外延平面型

PNP硅晶体管

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

集电极耗散功率

结温

储存温度

*单脉冲， PW = 10毫秒

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-30

-20

-6

-5

-10

0.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

输出电容

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=-50ìA

=-1mA

=-50ìA

=-20V

=-5V

Testconditons

民

-30

-20

-6

-0.5

-1

120

390

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=-4A,I

=-0.1A

的hFE

= -2V ，我

=-0.5A

= -6V ，我

= 50mA时F = 30MHz的

= -20V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

分类

记号

秩

的hFE

82 180

120 270

180 390

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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