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    2SB1396 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1396图片预览
    型号： 2SB1396
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 采用FBET的， MBIT处理大电流的能力 [Adoption of FBET,MBIT processes Large current capacity]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 77 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SB1396
    特点
    采用FBET的， MBIT流程
    电流容量大
    低集电极到发射极饱和电压
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散*
    结温
    储存温度
    *安装在陶瓷基板（ 250毫米
    2
    X0.8mm)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    *
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -15
    -10
    -7
    -3
    -5
    1.3
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    Ç -E饱和电压
    B -E饱和电压
    C- B击穿电压
    C- E击穿电压
    E- B击穿电压
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    Testconditons
    V
    CB
    = -12V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -0.5A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -3A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -0.3A
    V
    CE
    = -10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    =-1.5A,I
    B
    =-30mA
    I
    C
    =-1.5A,I
    B
    =-30mA
    I
    C
    =-10ìA,I
    E
    =0
    I
    C
    =-1mA,R
    BE
    =
    I
    E
    =-10ìA,I
    C
    =0
    -15
    -10
    -7
    140
    70
    400
    26
    -220
    -0.9
    -400
    -1.2
    GHz的
    pF
    mV
    V
    V
    V
    V
    民
    典型值
    最大
    -100
    -100
    560
    单位
    ìA
    ìA
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    S
    140 280
    BO
    T
    200 400
    U
    280 560
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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