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2SB1409S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1409S
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内容描述: 集电极基极电压VCBO -180 V集电极到发射极电压VCEO -160 V [Collector to base voltage VCBO -180 V Collector to emitter voltage VCEO -160 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB1409S
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1值在T
C
= 25 .
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
*1
T
j
T
英镑
等级
-180
-160
-5
-1.5
-3
18
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
*脉冲测试。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
Testconditons
I
C
= -1毫安,我
E
= 0
I
C
= -10毫安,R
BE
=
I
E
= -1毫安,我
C
= 0
V
CB
= -160 V,I
E
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= -150毫安*
V
CE
= -5 V,I
C
= -500毫安*
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
V
CE
= -5 V,I
C
= -150毫安
V
CE
= -5 V,I
C
= -150毫安
V
CB
= -10 A,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
240
25
60
30
-1
-1.5
V
V
兆赫
pF
-180
-160
-5
-10
200
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
TYPE
的hFE
B
60至120
C
100至200
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1