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2SB1561-Q 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1561-Q
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内容描述: 集电极电流能力IC = -2A集电极发射极电压VCEO = -60V [Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-60V]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 373 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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产品speci fi cation
2SB1561
-Q
SOT-89
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
集电极电流能力我
C
=-2A
+0.1
4.50
-0.1
+0.1
1.80
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
集电极发射极电压V
首席执行官
=-60V
低饱和电压通常
VCE ( SAT ) = - 0.15Vat IC / IB = -1A / -50mA
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
1.基地
1
1.源
BASE
2
2.漏
集热器
2.收集
3发射器
3. Emiitter
3.门
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
ç P
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
P
C
P
CM
T
J
T
s TG
等级
-60
-60
-6
-0.5
-6
0.5
2
150
-55到150
W
A
V
单位
电气特性TA = 25 ℃
参数
Collecto-基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极emittercut断电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
Testconditons
IC = -50 μA
I
E
=0
IC = -1毫安
I
B
=0
I
E
= -50
μ
A
I
C
=0
V
CB
= -50 V,I
E
=0
V
CB
= -48 V,I
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
-0.15
-60
-60
-6
-100
-700
-100
-0.35
-1.2
120
45
23
200
pF
兆赫
270
V
nA
V
典型值
最大
单位
V
CE ( SAT )
I
C
= -1A ,我
B
=-50mA
V
BE (S AT)
I
C
= -1A ,我
B
=-50mA
h
˚F E( 1 )
h
˚F E( 2 )
COB
f
T
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= - 2V ,我
C
= -1.5A
V
CB
= -10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= -2V ,我
E
= -0.5A , F = 100MHz的
记号
记号
BL / QN
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3