2SB736A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB736A
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内容描述：	微型封装。补充2SD780A 。高直流电流增益： hFE参数= 200 TYP 。 [Micro package. Complementary to 2SD780A. High DC Current Gain: hFE = 200 TYP.]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小：	1 页 / 61 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SB736A

SOT-23

单位：mm

特点

微型封装。

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

补充2SD780A 。

高直流电流增益：H

= 200 TYP 。（V

= -1.0 V，I

= -50毫安）

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

-80

-5.0

-300

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益*

基极 - 射极电压*

集电极饱和电压*

输出电容

增益带宽积

*脉冲： PW

350 ，占空比

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -50 V，I

= 0

= -5.0 V，I

= 0

= -1.0 V，I

= -50毫安

= 6.0 V，I

= -10毫安

110

-600

-660

-0.35

100

民

典型值

最大

-100

400

-700

-0.6

兆赫

单位

CE （ SAT ）

= -300毫安，我

= -30毫安

= -6.0 V，I

= 0中，f = 1.0兆赫

= -6.0 V，I

= 10毫安

分类

记号

B51

110 180

B52

135 220

B53

170 270

B54

200 320

B55

250 400

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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