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型号: 2SB767
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内容描述: 大集电极耗散功率PC高集电极 - 发射极电压(基本开) VCEO [Large collector power dissipation PC High collector-emitter voltage (Base open) VCEO]
分类和应用: PC
文件页数/大小: 1 页 / 83 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
产品speci fi cation
2SB767
特点
大集电极耗散功率PC
高集电极 - 发射极电压(基本开) VCEO
迷你型封装,设备和自动的让瘦身
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-80
-80
-5
-1
-0.5
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -20 V,I
E
= 0
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
I
C
= -100ìA ,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CE
= -10 V,I
C
= -150毫安
-80
-80
-5
90
-0.2
0.85
120
20
30
220
-0.4
-1.2
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
-0.1
单位
ìA
V
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
= -300毫安,我
B
= -30毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= -300毫安,我
B
= -30毫安
f
T
C
ob
V
CB
= -10 V,I
E
= 50 mA时, F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
CQ
90 155
CR
130 220
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1