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型号: 2SB772
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内容描述: PNP晶体管的高电流输出高达3A的低饱和电压 [PNP transistor High current output up to 3A Low Saturation Voltage]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 657 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
产品speci fi cation
2SB772
SOT-89
单位:mm
1.50 ±0.1
特点
PNP晶体管的高电流输出高达3A
低饱和电压
补充2SD882
4.50±0.1
1.80±0.1
1
0.48±0.1
2
3
0.80±0.1
0.44±0.1
0.53±0.1
3.00±0.1
0.40±0.1
2.60±0.1
2.50±0.1
4.00±0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流为连续
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
c
T
J
T
英镑
等级
-40
-30
-6
-3
0.5
150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
测试Conditons
I
c
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -10毫安,我
B
=0
I
E
= -100微安,我
C
=0
V
CB
= -40 V,I
E
=0
V
EB
= -6V ,我
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
= -1A
V
CE
= -2V ,我
C
= -100mA
I
C
= -2A ,我
B
=- 0.2A
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
CE
= -5 V,I
C
= -0.1mA , F = 10MHz时
50
60
32
-0.5
-1.5
V
V
兆赫
-40
-30
-6
-1
-1
400
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
h
FE
分类
h
FE
R
60½120
Q
100½200
P
160½320
E
200½400
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3